MOCVD机用高端钨钼部件

金属有机物化学气相沉积(简称MOCVD)是技术生长III-V族，II-VI族化合物及合金的薄层单晶的主要方法。用氢气或氮气作为载气，通入液体中携带出蒸汽，与V族的氢化物(如NH3、PH3、AsH3)混合，通入反应室，在加热的衬底表面发生反应，外延生长化合物晶体薄膜。

LED的发光核心是一种称为外延片(Epitaxial Slice)的复合材料，由于Mocvd技术在外延片上的成功运用，使得此种设备使用量迅速增加。

由于MOCVD设备工作时工作温度高于2000℃，钨钼也是该设备部分组件的材料。